瓷质砖坯体致密如何切割
瓷质砖坯体致密而且较硬，加工过程双向加压运动，滚刀克取瓷砖表面的微切削机理为犁入方式和压溃方式共同作用。所以滚刀粒度越粗，犁入去除量越大，刀痕越深。
同一粒度的滚刀压力越大，“压溃”成屑面积与深度加大，去除量加大，但产生的刀痕也越粗，所以有时局部压力过大，细刀也出深刀痕。增加细滚刀刀线数量，从而减少切削面单位压力，限制进刀量，可提高坯体的平整度和刀痕细度。
DLC膜的光学性能
DLC膜在可见光区通常是吸收的，但是在红外区具有很高的透过率。DLC膜光隙带宽度一般在2.7eV以下。DLC膜光隙带宽度对沉积方法及工艺参数比较敏感。在用ECRCVD法制备DLC膜时随着沉积气压的而增大。
DLC膜的折射率一般在1.5~2.3，磁控溅射制备DLC膜时，折射率随溅射功率的增加而缓慢增加，随溅射氮气压力升高而降低。稳定性:含氢和不含氢的DLC都是亚稳态的材料，热稳定性很差，通过热激发或光子、离子的能量辐射，它们的结构将向类石墨化方向转变，加热含氢DLC将导致氢和CHx的释放。
金刚石的成核机理
在研究金刚石的成核机理等基础理论方面是较为完善的一种。尽管合成速度较慢约为1~2um/h，但沉积的金刚石薄膜质量高，与基体结合好。
近发展的等离子体辅助热丝CVD法(EACVD)，不仅获得远比一般热丝CVD法更高的沉积速度(10—20um/h)，而且金刚石膜的质量得到显著提高。
先将真空室抽成真空，再将热丝加热到1800℃~2400℃的高温，通往含碳气源和H2，气体通过热丝时被分解成原子H，CH3，C2H2等基团，这些活性基团在800℃~1100℃的基体上反应形成金刚石晶核，再生长成金刚石膜。其中丝的材质、温度、丝与基体间的距离、气体种类比例、基体温度等对金刚石形核和生长都影响。
以上信息由专业从事电镀金刚石磨棒制作的光明金刚石于2025/1/8 18:02:44发布
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